英飞凌申请半导体装置及其制造方法专利，提高半导体装置性能

金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN 119698054 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开涉及一种半导体装置(1)，所述半导体装置(1)具有：栅极电极(4)，位于垂直栅极沟槽(5)中；沟道区(6)，沿侧向位于所述栅极沟槽(5)旁边；其中所述栅极电极(4)包括：外栅极区(8)，由外栅极材料(80)制成；金属嵌体区(9)，由金属材料(90)制成；分隔器区(10)；其中所述外栅极材料(80) 和所述分隔器区(10)均不同于所述金属材料(90)，并且其中所述分隔器区(10)、所述金属嵌体区(9)和所述外栅极区(8)至少在所述栅极电极(4)的垂直区段(4.1)中被接连地从所述栅极电极(4)内的中心位置(20)朝着所述沟道区(6)沿侧向向外布置。

本文源自：金融界

作者：情报员